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包括气候雷达以及澳门九五至尊开户到2020财年的5G无线通信系统中

时间:2018-09-03 13:29  来源:jonathan-saunders.com  阅读次数: 复制分享 我要评论

富士通开发出的新的GaN晶体管结构 富士通新的氮化镓(GaN)晶体结构通过将施加的电压分散到晶体管中来改善工作电压,将开发的技术应用于该领域中, 。

富士通有限公司和富士通实验室有限公司已经开发出一种晶体结构,可以增加氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)中的电流和电压,从而防止晶体管被损坏(其专利正在申请中),包括气候雷达以及到2020财年的5G无线通信系统中,用于雷达系统等应用,目标是将这种高输出功率,高频GaN HEMT功率放大器商业化。

能够及早地发现可能会发展成暴雨的积雨云,预计雷达的观测范围将扩大2.3倍。

该结构可以有效地使用于微波频带中的发射器的晶体管的输出 功率 增加三倍。

富士通开发出的新的GaN HEMT的功率密度创造了新的记录 富士通和富士通实验室将对使用该技术的GaN HEMT功率放大器的耐热性和输出性能进行评估,该技术使得GaN器件能够实现被认为是采用氮化铟铝镓(InAlGaN)阻挡层的GaN HEMT的19.9 W / mm栅极宽度的目前世界上最高的功率密度。

GaN HEMT技术可用作气象雷达应用中的设备的功率放大器。